4.5V驱动型 Nch MOSFET RS1G150MN
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
| 型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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| RS1G150MNTB | 供应中 | HSOP8(Single) | 2500 | 2500 | Taping | Yes |
RS1G150MN 数据手册 Data Sheet
技术特性| Grade | Standard | | Package Code | HSOP8S(5x6) | | Package Size[mm] | 5.0x6.0(t=1.0) | | Number of terminal | 8 | | Polarity | Nch | | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 40 | | Drain Current ID[A] | 80.0 | | RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.0102 | | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0076 | | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0102 | | Total gate charge Qg[nC] | 15.8 | | Power Dissipation (PD)[W] | 3.0 | | Drive Voltage[V] | 4.5 | | Mounting Style | Surface mount | | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
应用领域- Coin Processing Machines
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- 超声波诊断设备
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- 空调
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