1.5V Drive Pch+Pch MOSFET TT8J13

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

型号Status封装包装数量最小独立包装数量包装形态RoHS
TT8J13TCR供应中TSST830003000TapingYes

TT8J13 数据手册 Data Sheet

技术特性
GradeStandard
Package CodeTSST8
Package Size[mm]3.0x1.9(t=0.8)
Number of terminal8
PolarityPch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]-12
Drain Current ID[A]-2.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)0.09
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)0.055
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)0.044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)0.09
Total gate charge Qg[nC]16.0
Power Dissipation (PD)[W]1.25
Drive Voltage[V]-1.5
Mounting StyleSurface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]-55
Storage Temperature (Max.)[°C]150
应用领域
  • POS (Point of Sales System)
技术资料下载
引脚配置图
相关产品
PART NUMBERProduct SeriesDatasheet
RQ6E050AJ通用MOSFETDatasheet
HP8MA2通用MOSFETDatasheet
RRS050P03FRA车载MOSFETDatasheet
DTA113ZCAHZG车载数字晶体管Datasheet
DTA114TCAHZG车载数字晶体管Datasheet
DTA114YCAHZG车载数字晶体管Datasheet
TT8J13 TT8J13
DTA113ZCAHZG DTA113ZCAHZG
DTA114TCAHZG DTA114TCAHZG
DTA114YCAHZG DTA114YCAHZG
Spice Model (lib) TT8J13
Thermal Model (lib) TT8J13
Package Information VT6M1
Taping Specifications VT6M1
Condition Of Soldering VT6M1
Storage Conditions VT6M1
Reliability Information TT8U2
Operation Notes VT6M1
Operation Notes VT6M1
Part Explanation VT6M1
NE Handbook Series TT8J2