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TSFF6410 High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
技术特性
Package type: leaded
Package form: T-1¾
Dimensions (in mm): Ø 5
Datasheet
TSFF6410
3D Models (*.zip)
Opto 3D Models
- Opto 3D Models
TSFF6410
81126
Opto 3D Models
81321
TSFF6410 High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
81126
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