ATF-511P8 LPCC 下单电压 E-pHEMT 低噪声 41.7 dBm OIP3
ATF-511P8 是一款以 8-引线 LPCC (JEDEC DFP-N) 包装封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT。该设备展现出 50MHz 到 6GHz 频率范围下卓越的射频性能、功率效率和产品一致性。
技术特性
- 在 2GHz 时,ATF-511P8 实现高 OIP3 多达 41.7 dBm、P1dB 达 30dBm 以及低 NF达 1.4dB,仅需要 4.5V/200mA 的直流偏置。
- 具备良好散热能力的封装尺寸仅为 2 毫米 x 2 毫米x 0.75 毫米。其背面的金属化处理可以体现卓越的散热效果,并为回焊工艺提供视觉导引。该设备在 85°C 安装温度下可达到 300 多年的平均无故障时间 (MTTF)。
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产品技术资料及技术规格
应用笔记
Design Tools & Models
- ADS Model ?-?ATF-511P8 ADS Model?(21 KB,ZAP)
- Layout?-?ATF-5x1P8 AutoCAD layout drawing?(23 KB,ZIP)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 3V, 100mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 3V, 135mA?(14 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 3V, 200mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 3V, 300mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4.5V, 100mA?(19 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4.5V, 200mA?(19 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4.5V, 300mA?(19 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 100mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 200mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 300mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and Noise Parameters at 5V?(6 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and Noise Parameters at 5V?(7 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 5V, 100mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 5V, 200mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 5V, 300mA?(2 KB,S2P)
产品变更通知书
质量和可靠性