ATF-531P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 38 dBm OIP3 采用 LPCC 封装
ATF-531P8 是一款以 8-引线 LPCC (JEDEC DFP-N) 包装封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT。该设备展现出 50MHz 到 6GHz 频率范围下卓越的射频性能、功率效率和产品一致性。
技术特性
- 在 2GHz 时,ATF-531P8 实现高 OIP3 多达 38dBm、P1dB 达 24.5 dBm 以及低 NF 达 0.6dB,仅需要 4V/135mA 的直流偏置
- 具备良好散热能力的封装尺寸仅为 2 毫米 x 2 毫米x 0.75 毫米。其背面的金属化处理可以体现卓越的散热效果,并为回焊工艺提供视觉导引。该设备在 85°C 安装温度下可达到 300 多年的平均无故障时间 (MTTF)
| |
产品技术资料及技术规格
应用笔记
Design Tools & Models
- ADS Model ?-?ATF-531P8 ADS Model?(26 KB,ZAP)
- Layout?-?ATF-5x1P8 AutoCAD layout drawing?(23 KB,ZIP)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 3V, 30mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 3V, 40mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 135mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 180mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 30mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 40mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 4V, 75mA?(2 KB,S2P)
- S-Parameter?-?S and noise parameters at 5V, 135mA?(2 KB,S2P)
产品变更通知书
质量和可靠性