ATF-541M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低噪声 36 dBm OIP3

该单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 6GHz 频率范围下塔顶放大器、前端 LNA 或基站、MMDS 混合模块和其它射频应用。 它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡功率放大器的理想选择。
技术特性
  • 典型性能:2GHz 3V/60mA 时,NF = 0.5dB,OIP3 = 35.8dBm,P1dB = 21.4dBm 和增益 = 17.4dB
  • 典型性能:5.8GHz 3V/60mA 时,Fmin = 1.2dB,OIP3 = 37.6dBm,P1dB = 19.4dBm 和增益 = 11.9dB
产品技术资料及技术规格
应用笔记
Design Tools & Models
产品变更通知书
质量和可靠性