ATF-551M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低电流噪声 24 dBm OIP3

该低电流单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。 它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 10GHz 频率范围下接收器 LNA 或手机、无线 LAN、固定无线的混合模块和其它射频应用。 它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡的 LNA 的理想选择。
技术特性
  • 典型低电流性能:2GHz 2.7V/10mA 时,NF = 0.5dB、OIP3 = 24dBm、P1dB = 14.6dBm 和增益 = 17.5dB
  • 典型较高电流性能:2GHz 3V/20mA 时,NF = 0.5dB、OIP3 = 30dBm、P1dB = 16dBm 和增益 = 18dB
  • 典型性能:5.8GHz 2.7V/10mA 时,Fmin = 0.9dB,OIP3 = 24.5dBm,P1dB = 14dBm 和增益 = 12dB
产品技术资料及技术规格
应用笔记
Design Tools & Models
产品变更通知书