数据手册DataSheet 下载：FDN371N 20V N沟道PowerTrench® MOSFET.pdf

该 20V N 沟道 MOSFET 采用飞兆高压 PowerTrench 工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。 欲了解更多信息，请访问 模型页面.

产品特点

• 2.5 A, 20 V. RDS(ON) = 50 mW @ VGS = 4.5 VRDS(ON) = 60 mW @ VGS = 2.5 V
• 低栅极电荷（典型值7.2nC）
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

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应用领域

• 配电

技术资料

• AN-9065 同步整流中的 FRFET®(356 K) 2013年9月09日
• A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
• 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
• A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
• MOSFET 基础(1,099 K) 2013年9月19日
• Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
• AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系(909 K) 2013年8月27日
• AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南(466 K) 2013年8月27日

MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013

A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011

FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014

Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014

Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011