数据手册DataSheet 下载：FDS4488 30V N 沟道 PowerTrench® MOSFET.pdf

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 欲了解更多信息，请访问 模型页面.

产品特点

• 7.9 A，30 V
• RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
• 低栅极电荷（9.5nC典型值）
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

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应用领域

• 服务器和大型机
• 工作站
• 台式计算机
• 笔记本电脑
• PC服务器
• 多媒体平板电脑
• 存储和外设
• 打印机
• 图形卡
• LCD监视器
• CRT/RPTV
• 其他数据处理
• 路由器和LAN网关
• SAN
• 长途列车与地铁
• 宽带接入
• 宽带调制解调器
• 企业语音网络
• 中央办公室
• 广播和工作室
• 其他有线通信
• WLAN网卡和宽带接入
• WLAN接入点/路由器
• 移动通信基础设施
• 外部AC-DC商用电源-有线通信
• 其他无线通信
• PMP/MP3播放器
• 家用音频系统组件
• CRT/RPTV
• LCD 电视
• PDP电视
• 摄像机
• DVD机
• 机顶盒
• DSC
• 视频游戏机
• 电子书阅读器
• 消费型设备
• AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB
• 其他音频与视频
• 其他消费型电子
• 医疗电子/设备
• 自动化
• 测试和测量
• 楼宇和住宅控制
• 其他工业
• 军用和民用航空
• 视频游戏机

技术资料

• AN-9065 同步整流中的 FRFET®(356 K) 2013年9月09日
• A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
• 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
• A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
• MOSFET 基础(1,099 K) 2013年9月19日
• Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
• AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系(909 K) 2013年8月27日
• AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南(466 K) 2013年8月27日

MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013

A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011

FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014

Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014

Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011