数据手册DataSheet 下载：FGD3N60LSD_F085 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).pdf
飞兆的绝缘栅极双极晶体管(IGBT)提供非常低的传导损耗。 该器件专为极低导通压降是必需功能的应用而设计。 欲了解更多信息，请访问 模型页面.
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| FGD3N60LSDTM | 量产 从2014年5月起符合绿色标准 | $0.6 | TO-252 3L (DPAK) - 细节 2.285 x 6.54 x 9.905mm to-252 3l (dpak) 示意图 to252-3l, jedec option aa reel packing drawing to252-3l, packing drawing to252-3l packing drawing | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGD 第三行:3N60LSD | FIT : 1.7 RƟJA : 100 °C/W RƟJC : 3.1 °C/W 显示更多... Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260 |
