BLF988S 功率LDMOS晶体管 _ BDTIC a Leading Distributor in China

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600W LDMOS RF功率晶体管，适合发射器应用和工业应用。该器件凭借其出色的耐用性而非常适合数字和模拟发射器应用。

产品特点

极佳的强度（所有相位的VSWR ≥ 40 : 1）
最佳热性能和可靠性，R_th(j-c) = 0.15 K/W
高功率增益
高效率
设计用于宽带操作（400 MHz至1000 MHz）
内部输入匹配，可实现高增益和最佳宽带操作
极佳的可靠性
方便的功率控制
符合有害物质限制的Directive 2002/95/EC

产品应用

通信发射器应用
工业应用

订购型号

订购型号	封装	Outline version	Reflow-/Wave soldering	包装	产品状态	标示	订购器件的编号
BLF988S	(SOT539B)	sot539b_po		Bulk Pack	激活	Standard Marking	BLF988S,112( 9340 662 87112 )

品质、可靠性及RoHS化学成分

订购型号	订购器件的编号	RoHS / RHF	无铅开始日期	EFR	IFR (FIT)	MTBF（小时）	潮湿敏感度等级	MSL LF
BLF988S	BLF988S,112		Always Pb-free	NA	NA

产品技术资料

文档标题	类型分类	格式	更新日期
BLF988_BLF988S (中文)：Power LDMOS transistor	Data sheet	pdf	2013-08-01
AN10896：Mounting and Soldering of RF transistors	Application note	pdf	2012-12-19
PCB_Design_BLF988_BLF988S_Data-sheet：PCB Design BLF988(S) (Data sheet)	Design support	zip	2013-05-17
fatigue_in_aluminum_bond_wires：Fatigue in aluminum bond wires	Mounting and soldering	pdf	2009-10-08
75017565：NXP's RF Manual 18th edition	Selection guide	pdf	2014-06-17
BLF988_MWO_Model：BLF988 MWO Model	Simulation model	zip	2013-11-21
sot539b_po：earless flanged balanced ceramic package; 4 leads	Outline drawing	pdf	2012-05-08

Power LDMOS transistor BLF988_S

Power LDMOS transistor BLF988_S

Power LDMOS transistor BLF988_S

Mounting and Soldering of RF transistors aerospace_defense

PCB Design BLF988(S) (Data sheet) BLF988_S

Fatigue in aluminum bond wires gan_devices

NXP's RF Manual 18th edition OL2300NHN

BLF988 MWO Model BLF988_S

earless flanged balanced ceramic package; 4 leads BLU6H0410L_S_600P

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