FCB20N60F_F085: N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ，

SuperFETTM作为 Fairchild 高压 MOSFET 系列的新一代专利产品，采用先进的电荷平衡机制，能够显著降低导通电阻并实现更低的栅极电荷性能。这项先进的技术专用于最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，以及承受极端高的 dv/dt 电压变化率和更高的雪崩能量值。因此，SuperFET 非常适用于开关模式运行下的各种 AC/DC功率转换，从而实现系统的微型化以及更高的效率

特性

• 典型值 r_DS(on) = 171 mΩ（V_GS= 10 V、I_D = 20 A
  ）
• 典型Q_g(tot)=78nC（V_GS=10V、I_D=20A
  ）
• UIS 能力
  
• 符合 RoHS 标准
  
• 符合 AEC Q101 标准