FCB20N60_F085: 600 V、20 A、173 mΩ、D2PAKN 沟道 SuperFET™

SuperFETTM是飞兆专有的新一代高压 MOSFET 系列产品，它利用了先进的电荷平衡机制，实现出色的低导通电阻及低栅极电荷性能。这一先进技术是专为最大程度地降低导通损耗，提供卓越开关性能，以及承受高雪崩和极端 dv/dt 比率而定制的。因此，SuperFET 特别适合各种车用DC/DC 功率转换。

特性

• 典型值 r_DS(on)=173 mΩ，条件是 V_GS=10V、I_D=20A
  
• 典型值 Q_g(tot)=72 nC，条件是 V_GS=10V, I_D=20A
  
• UIS 能力
  
• 符合 RoHS 标准
  
• 符合 AEC Q101