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FDB8896_F085: 30 V、93 A、4.7 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。
数据手册DataSheet
FDB8896_F085.pdf
特性
r
DS(ON)
= 5.7mΩ, V
GS
= 10V, I
D
= 35A
r
DS(ON)
= 6.8mΩ, V
GS
= 4.5V, I
D
= 35A
高性能沟道技术可实现极低的 r
DS(ON)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDB8896_F085
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$0.7755
TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带
TO-263 2L (D2PAK) 示意图
最后更新: 2016年5月
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO263-2L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO263_TUBE PACKING DRAWING
最后更新: 2013年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDB
第三行
8896
FDB8896_F085.pdf
TO-263 2L (D2PAK) Drawing
Last Update: May 2016
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO263-2L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO263_TUBE PACKING DRAWING
Last Update: Jun 2013
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