FDD6N50TM_F085: 500 V、6 A、760 mΩ、DPAKN 沟道 UniFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。

**数据手册DataSheet**
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**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDD6N50TM_F085	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.6031	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDD 第三行6N50