FDD8453LZ_F085: 40 V、50 A、5.0 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench®

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻和开关损耗而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

特性

• 典型 r_DS(on) = 5 mΩ （V_GS = 10 V、I_D = 15 A）
• V_GS = 4.5V，ID = 13A时，典型r_DS(on) = 6m_Ω
• HBM ESD 保护等级> 7 kV 典型值
• 符合RoHS标准
• 符合 AEC Q101