XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案,适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6706B将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到超紧凑热性能增强型6x6mm PQFN封装中。
通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFET RDS(ON),对整个开关功率级进行了优化。 XS™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术,显著减少开关振铃,省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。
死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。 热报警功能对可能出现的过温情况进行报警。 FDMF6706B还具有其他功能,比如:可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)以及与大量PWM控制器兼容的三态3.3V PWM输入。
FDMF6706B 数据手册 |
产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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FDMF6706B | 上次购买截止日期2017年8月22日 绿色:截至2009年11月 替代部件: FDMF6820B 中国 RoHS | $1.5798 | PQFN 40L
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1.1 x 6 x 6mm,
卷带
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FDMF |