FDMF6708N: 超小型、高性能、高频DrMOS模块

XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6708将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm封装中。

通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)优化。 XS™     DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6708N还具有可提高轻负载效率的过零检测(ZCD_EN#)功能。 FDMF6708N还提供与大量PWM控制器兼容的三态5V PWM输入。

特性

• 超过93%的峰值效率
  
• 高电流处理能力： 45A
  
• 高性能PQFN铜片封装
  
• 三态5V PWM输入驱动器
  
• 通过ZCD_EN#输入使能的二极管自动仿真（跳频模式）
  
• 为过温情况提供热警告标志
  
• 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
  
• ZCD_EN#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
  
• 飞兆PowerTrench®技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
  
• 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
  
• 集成自举肖特基二极管
  
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
  
• 欠压闭锁(UVLO)
  
• 为实现开关频率达到1MHz而优化
  
• 薄型SMD封装
  
• 飞兆绿色封装并符合RoHS标准
  
• 基于Intel® 4.0 DrMOS标准