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> FDN5632N_F085
FDN5632N_F085: 60 V、1.7 A、57 mΩ、SSOT-3N 沟道 UltraFET®
数据手册DataSheet
FDN5632N_F085.pdf
特性
R
DS(on)
= 98 mΩ(需 V
GS
= 4.5 V、I
D
= 1.6 A
)
R
DS(on)
= 82 mΩ(需 V
GS
= 10 V、I
D
= 1.7 A
)
典型 Q
g(TOT)
= 9.2 nC(需 V
GS
= 10 V
)
低米勒电荷
符合 AEC Q101 要求
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDN5632N_F085
量产 绿色:截至2008年9月 中国 RoHS
$0.1341
SSOT 3L - 1.12 x 2.92 x 1.4mm, 卷带
SSOT 3L 示意图
最后更新: 2015年5月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
5632
&G
(每周日期代码)
FDN5632N_F085.pdf
SSOT 3L Drawing
Last Update: May 2015
SOT Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
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