FDS2672_F085: 200 V、3.9 A、59 mΩ、SO-8N 沟道 UltraFET® Trench

此单 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 UItraFET Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性

• 最大 r_DS(on) = 70 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 3.9 A）
• 最大 r_DS(on) = 80 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 3.5 A）
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准

Application Notes