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FAIRCHILD 飞兆半导体
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FDS4141_F085: -40 V、-10.5 A、13 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench®
数据手册DataSheet
FDS4141_F085.pdf
特性
典型 r
DS(on)
= 10.5 mΩ (V
GS
= -10 V、I
D
= -10.5 A)
V
GS
= -4.5V,ID = -8.4A时,典型r
DS(on)
= 14.8m
Ω
V
GS
= -10V时,Q
g(TOT)
= 35nC(典型值)
高性能沟道技术可实现极低的r
DS(on)
符合 RoHS 标准
符合 AEC Q101
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS4141_F085
量产 绿色:截至2009年12月 中国 RoHS
$0.479
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
4141
Application Notes
AN-1029
Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETs
最后更新 : 2011年3月05日
FDS4141_F085.pdf
SO 8L NB Drawing
Last Update: Nov 2015
MO8A SON8, Packing Drawing
Last Update: Oct 2015
SOIC 8L TR packing drawing
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
Last Update: Jun 2016
Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETs
Last Update : 05-Mar-2011
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