FDS4435BZ_F085: -30 V、-8.8 A、20 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench®

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性

• 最大 r_DS(on)= 20 mΩ （V_GS = -10 V、I_D= -8.8 A）
• V_GS = -4.5V且ID = -6.7A时，最大r_DS(on) = 35m_Ω
• 扩展了V_GSS范围(-25V)，适合电池应用
• HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• 终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
• 符合 AEC Q101

Application Notes