FDS4465_F085: -20 V、-13.5 A、8.5 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench®

此 P 沟道 1.8 V 额定 MOSFET 是采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产的耐用栅极版本。它已针对栅极驱动电压范围(1.8V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。

特性

• –13.5 A、–20 V、R_DS(ON = 8.5 mΩ (V_GS = –4.5 V)
• R_DS(ON) = 10.5 mΩ @ V_GS = –2.5 V
• R_DS(ON) = 14 mΩ @ V_GS = –1.8 V
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高电流和功率处理能力
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准

Application Notes