FDS4675_F085: -40 V、-11 A、13 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench®

此 P 沟道 MOSFET 是采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产的稳固栅极版本。它已针对广泛栅极驱动电压额定值(4.5V – 20V)的电源管理应用进行了优化。

特性

• –11 A，–40 V，R_DS(ON) = 0.013 Ω（V_GS = –10 V 时），R_DS(ON) = 0.017 Ω（V_GS = –4.5 V 时）
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高功率和高电流处理能力
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准

Application Notes