FDS6673BZ_F085: -30 V、-14.5 A、7.8 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench®

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性

• 最大 r_DS(on) = 7.8 mΩ、V_GS = -10 V、I_D = -14.5 A
• Max r_DS(on) = 12mΩ，V_GS = -4.5V，I_D = -12A
• 扩展了V_GS范围(-25V)，适合电池应用
• HBM静电放电保护等级，典型值为6.5KV（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• 符合 RoHS 标准
• 符合 AEC Q101

Application Notes