FDS8449_F085: 40 V、7.6 A、21 mΩ、SO-8N 沟道 PowerTrench®
这些 N 沟道 MOSFET 采用飞兆进的 PowerTrench 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性
- 7.6 A、40 V RDS(on) = 29 mΩ (VGS = 10 V)
- 7.6 A, 40V RDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V
- 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101
Ordering Code产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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FDS8449_F085 | 量产
绿色:截至2009年12月
中国 RoHS | $0.3048 | SO 8L NB
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1.75 x 3.9 x 4.9mm,
卷带 | 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K
第二行FDS
第三行8449
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Application Notes
AN-1029 Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETs 最后更新 : 2011年3月05日