FDS8984_F085: 30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。
特性
- 最大 rDS(ON) = 23 mΩ、VGS = 10 V、ID = 7 A
- VGS = 4.5V,ID = 6A时,最大rDS(on) = 30mΩ
- 低栅极电荷
- 100%经过RG测试
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
Ordering Code产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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FDS8984_F085 | 量产
绿色:截至2009年12月
中国 RoHS | $0.5622 | SO 8L NB
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1.75 x 3.9 x 4.9mm,
卷带 | 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K
第二行FDS
第三行8984
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Application Notes
AN-1029 Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETs 最后更新 : 2011年3月05日