FOD8318: 具有有源米勒箝位、去饱和检测和隔离故障感测功能的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器

FOD8318 是一个 2.5A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分 1200V / 150A IGBT 产品。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。 它包括一个具有低 RDS(ON)CMOS 晶体管以轨到轨驱动 IGBT 的集成栅极驱动光电耦合器，和一个用于故障检测的集成高速隔离反馈。 FOD8318 具有在高 dv/dt 期间断开 IGBT 的有源米勒钳位功能，无需负电源电压。 它提供了必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于过热损坏。

该器件采用飞兆半导体专有的共面 Optoplanar® 封装技术，优化了 IC 设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了高抗噪能力。

该器件采用紧凑且符合8毫米的爬电距离和电气间隙要求的16引脚小型塑料封装。

特性

• 通过共模抑制特点实现高抗噪能力
  • 35 kV / μs 最小共模抑制 (VCM = 1500 VPK)
• 35 kV / μs 最小共模抑制 (V_CM = 1500 V_PK)
• 2.5A 峰值输出电流驱动能力，可驱动大部分 1200V/150A IGBT
• 光隔离故障感测反馈
• 具有在高 dv/dt 期间断开 IGBT 的有源米勒钳位功能，无需负电源电压
• “软”IGBT 关断
• 内置 IGBT 保护
  • 去饱和检测
  • 欠压锁定保护
• 去饱和检测
• 欠压锁定保护
• 从 15V 到 30V 的宽电源电压范围
  • 使用输出级的 P 沟道 MOSFET 可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
• 使用输出级的 P 沟道 MOSFET 可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
• 3.3V/5V 的 CMOS/TTL 兼容输入
• 高速
  • 在整个工作温度范围内的最大传播延迟为 500ns
• 在整个工作温度范围内的最大传播延迟为 500ns
• 扩展工业温度范围介于 -40 至 100°C 之间
• 安全和监管部门批准
  • – UL1577，4,243 VRMS 持续 1 分钟。
  • DIN EN/IEC 60747-5-5，1,414 V（峰值）工作绝缘电压，8000 V（峰值）额定瞬态绝缘电压
• – UL1577，4,243 V_RMS 持续 1 分钟。
• DIN EN/IEC 60747-5-5，1,414 V（峰值）工作绝缘电压，8000 V（峰值）额定瞬态绝缘电压
• 1 Ω（典型值）R_DS(ON)提供更低功率损耗
• 用户可配置： 反相、同相、自动复位、自动关断
• 8 毫米爬电距离和电气间隙

Application Notes