FOD8332: 输入 LED 驱动、2.5 A 输出电流、带去饱和检测的 IGBT 驱动光电耦合器、隔离故障感测及有源米勒箝位

FOD8332 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器，可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制逆变器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8332 为您提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于过热损坏。

该器件采用飞兆专有的 Optoplanar® 共面封装技术，优化了 IC 设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了可靠的高隔离电压和高抗噪能力。 该器件包含在一个宽体 16 引脚小型塑料封装中。

栅极驱动器沟道包括一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，与带低-RDS(ON) MOSFET 输出级的集成高速驱动器电路光电耦合。 故障感应沟道包括一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，与故障感应用的集成高速反激式电路光电耦合。

特性

• 输入 LED 驱动辅助接受来自 PWM 输出的数字编码信号
• 光隔离故障检测反馈
• 高 dv/dt 无负电源电压时，有源米勒箝位关闭 IGBT
• 以共模抑制为特点的高抗扰性 — 最小 35 Kv/μs，V_CM = 1500 V_PEAK
• 2.5 A 输出电流驱动能力，针对中等功率 IGBT
  • 使用 P 沟道 MOSFET 作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
  • 宽电源电压范围： 15 V 至 30 V
• 使用 P 沟道 MOSFET 作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
• 宽电源电压范围： 15 V 至 30 V
• 集成 IGBT 保护
  • 去饱和检测
  • IGBT“软”断开
  • 具有滞回的欠压锁定 (UVLO)
• 去饱和检测
• IGBT“软”断开
• 具有滞回的欠压锁定 (UVLO)
• 在整个工作温度范围内可快速开关
  • 250 ns 最大传播延迟
  • 100 ns 最大脉宽失真度
• 250 ns 最大传播延迟
• 100 ns 最大脉宽失真度
• 扩展工业温度范围： -40°C 至 100°C
• 安全和法规认证   1,414 V_PEAK工作绝缘电压
     8,000 V_PEAK额定瞬态隔离电压
  • 1 分钟 UL1577、4,243 V RMS
  • DIN-EN/IEC60747-5-5（待定）：
• 1 分钟 UL1577、4,243 V RMS
• DIN-EN/IEC60747-5-5（待定）：
  
• 8 mm 爬电和安全距离

Application Notes