FQB34P10TM_F085: -100 V、-33.5 A、60 mΩ、D2PAK P 沟道 QFET®

这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性

• -33.5 A、-100 V、R_DS(on) = 0.06Ω (V_GS = -10 V)
• 低栅极电荷（典型值85 nC）
• 低Crss（典型值170pF）
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 175°C最大结温额定值
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准