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FAIRCHILD 飞兆半导体
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FQI27N25TU_F085: 250 V、26 A、108 mΩ、TO-262N 沟道 UltraFET®
数据手册DataSheet
FQI27N25TU_F085.pdf
特性
典型 r
DS(on)
= 108 mΩ(V
GS
= 10 V、I
D
= 25.5 A
)
典型 Q
g(tot)
=45 nC,条件是 V
GS
=10 V、I
D
=27 A
UIS 能力
符合 RoHS 标准
符合 AEC Q101 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FQI27N25TU_F085
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$1.7152
TO-262 3L (I2PAK) - 4.445 x 9.97 x 24.06mm, 管装
TO-262 3L (I2PAK) 示意图
最后更新: 2016年6月
TO262-3L, JEDEC VARIATION AA, PACKING DRAWING
最后更新: 2016年1月
TO262-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO Tube Packing Drawing
最后更新: 2015年9月
TO Vacuum Packing Drawing
最后更新: 2015年9月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FQI
第三行
27N25
FQI27N25TU_F085.pdf
TO-262 3L (I2PAK) Drawing
Last Update: Jun 2016
TO262-3L, JEDEC VARIATION AA, PACKING DRAWING
Last Update: Jan 2016
TO262-3L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO Tube Packing Drawing
Last Update: Sep 2015
TO Vacuum Packing Drawing
Last Update: Sep 2015
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