H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。
H11F3M.pdf |
产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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H11F3SVM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $1.1193 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11F3SR2VM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $1.1726 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11F3SR2M | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $1.1193 | MDIP 6L
-
3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11F3VM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $1.0746 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11F3SM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $1.0746 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11F3M | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $1.0468 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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