HUF75639S_F085A: 100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET® Trench _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

HUF75639S_F085A: 100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET® Trench

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。

**数据手册DataSheet**
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特性

TB334，“PC 板焊接表面贴装组件指南”

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
HUFA75639S3ST_F085A	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.1927	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行75639S

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TO-263 2L (D2PAK) Drawing Last Update: May 2016

TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING Last Update: Oct 2016

TO263-2L, PACKING DRAWING Last Update: May 2013

TO263_TUBE PACKING DRAWING Last Update: Jun 2013

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