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FAIRCHILD 飞兆半导体
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> HUF76639S_F085
HUF76639S_F085: 100 V、51 A、23 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 UltraFET®
数据手册DataSheet
HUF76639S_F085.pdf
特性
超低导通电阻
- r
DS
(ON)max = 0.026 Ω、V
GS
= 10 V
仿真模型
- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型
- SPICE 和 SABER 热阻抗模型
- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉宽曲线
UIS额定值曲线
开关时间与 R
GS
曲线
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
HUF76639S3ST_F085
量产 绿色:截至2012年9月 中国 RoHS
$1.1648
TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带
TO-263 2L (D2PAK) 示意图
最后更新: 2016年5月
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO263-2L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO263_TUBE PACKING DRAWING
最后更新: 2013年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
76639S
HUF76639S_F085.pdf
TO-263 2L (D2PAK) Drawing
Last Update: May 2016
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO263-2L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO263_TUBE PACKING DRAWING
Last Update: Jun 2013
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