LT1160 - 半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。 LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚P DIP 或24 引脚 SO 宽体封装。
特点
典型应用 | 应用
封装信息  |
| 器件型号 | 封装 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
|---|---|---|---|---|
| LT1160CN#PBF | N-14 | C | $3.50 | $2.80 |
| LT1160CS#PBF | SO-14 | C | $3.75 | $3.00 |
| LT1160CS#TRPBF | SO-14 | C | $3.06 | |
| LT1160IN#PBF | N-14 | I | $4.05 | $3.25 |
| LT1160IS#PBF | SO-14 | I | $4.30 | $3.45 |
| LT1160IS#TRPBF | SO-14 | I | $3.51 |
