DS1245AB：1024k非易失SRAM
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1245AB、DS1245Y：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1245AB-DS1245Y.pdf | Rev 4; 11/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1245AB | NV SRAM | 128K x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 |
| $19.03 @1k |
| DS1245Y | 4.5 | 5.5 |
| $19.78 @1k | |||
技术资料
- How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- NV SRAM Device Programmers
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1245AB-100 | 5%容差、100ns | 停止供货 | DS1245AB-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1245AB-100+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245AB-120 | 5%容差、120ns | 停止供货 | DS1245AB-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1245AB-120+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245AB-120IND | 5%容差、120ns | 停止供货 | DS1245AB-70IND+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1245AB-120IND+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245AB-70 | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1245AB-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1245AB-70+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245AB-70IND | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1245AB-70IND+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1245AB-70IND+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装：类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 * | 温度 | RoHS/无铅？ |
| DS1245AB-85 | 5%容差、85ns | 停止供货 | DS1245AB-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1245AB-85+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245ABP-100 | 5%容差、100ns | 停止供货 | DS1245ABP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1245ABP-100+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245ABP-70 | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1245ABP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1245ABP-70+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1245ABP-70IND | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1245ABP-70IND+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1245ABP-70IND+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 |
- DS1245AB-DS1245Y.pdf DS1245Y
- How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module DS1250AB
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
- NV SRAM Device Programmers DS1250Y
- Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
- NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
- DS1245AB-DS1245Y.pdf DS1245AB
