DS1250Y：4096k非易失SRAM
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1250AB、DS1250Y：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1250AB-DS1250Y.pdf | Rev 4; 12/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1250AB | NV SRAM | 512K x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 |
| $57.07 @1k |
| DS1250Y | 4.5 | 5.5 |
| $58.73 @1k | |||
技术资料
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- NV SRAM Device Programmers
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1250Y-100 | 10%容差、100ns | 停止供货 | DS1250Y-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1250Y-100+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1250Y-100IND | 停止供货 | DS1250Y-70IND+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | |
| DS1250Y-100IND+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1250Y-70 | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1250Y-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1250Y-70+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1250Y-70-W | 停止供货 | DS1250Y-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
| DS1250Y-70IND | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1250Y-70IND+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1250Y-70IND+ | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1250YL-70-IND | 停止供货 | DS1250YP-70IND+ | LPM； | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | |
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装：类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 * | 温度 | RoHS/无铅？ |
| DS1250YP-100 | 10%容差、100ns | 停止供货 | DS1250YP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1250YP-100+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1250YP-70 | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1250YP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1250YP-70+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1250YP-70IND | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1250YP-70IND+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1250YP-70IND+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 |
- DS1250AB-DS1250Y.pdf DS1250Y
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
- NV SRAM Device Programmers DS1250Y
- Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
- NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
- DS1250AB-DS1250Y.pdf DS1250AB
