数据手册:DS33W11, DS33W41, DS33X11, DS33X161, DS33X162, DS33X41, DS33X42, DS33X81, DS33X82 业内首款载波以太网器件,支持16路T1/E1或8路DS3,数据吞吐率可达400Mbps! .pdf [英文Rev.3(PDF,2.5MB)]
{状况:生产中。}
DS33X162系列的半导体器件扩展了10/100/1000Mbps以太网LAN,按照GFP-F、HDLC、cHDLC或X.86 (LAPS)格式进行MAC帧压缩,以PDH/TDM数据流进行传输。器件支持以Ethernet over PDH (EoPDH)标准实现太网接入服务,包括eLAN、eLINE和VLAN。这些多端口器件支持动态链路集合的VCAT/LCAS。串行链路支持双向同步互连,在xDSL、T1/E1/J1、T3/E3或V.35/光纤之间实现高达52Mbps传输速率。
器件以全速传输能力实现数据包的保存和转发,并具有以太网传输调理和桥接功能。分类、优先级队列、包装、和打包等功能的可编程能力为多种以太网服务提供了极大的灵活性。通过管理以太网服务的外部处理器可以提取和插入OAM流。
DS33Z41和DS33W11的语音端口可以很方便的连接外部编解码器,用于集成语音和数据服务应用。
产品关键特性
- 具有自动协商和流量控制的10/100/1000 IEEE 802.3 MAC (MII/RMII/GM11)
- GFP-F/LAPS/HDLC/cHDLC封装
- VCAT/LCAS链路集合,多达16个链路
- 支持高达200ms差分延迟
- 支持服务质量(QoS)
- 支持VLAN、Q-in-Q、802.1p和DSCP
- 以太网桥接和滤波
- 通过µP结构加入/除去OAM帧
- 通过CIR/CBS策略进行传输修正
- 外部256Mb、125MHz DDR SDRAM缓冲器
- 并行和SPI™微处理器接口
- 1.8V、2.5V、3.3V供电
- 支持IEEE 1149.1 JTAG
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功能框图
芯片订购型号
订购型号 | 产品状态 | 封装形式 | 工作温度 | RoHS/无铅 |
DS33W11+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33W11DK+ | 生产中 | N/A;封装信息 | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
DS33W41+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X11+ | 生产中 | CSBGA;144引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X161+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X162+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X41 | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
DS33X41+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X42+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X81+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X81+W | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
DS33X82+ | 生产中 | CSBGA;256引脚;CSBGA;封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
功能接近器件
评估板与开发套件
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