适合高速低噪声应用的NPN硅锗微波晶体管,采用塑料4引脚双射极SOT343F封装。
名称/描述 | Modified Date |
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NPN wideband silicon germanium RF transistor (REV 2.0) PDF (137.0 kB) BFU725F_N1 [English] | 03 Nov 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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BFU725F/N1 1.5 GHz LNA evaluation board (REV 1.1) PDF (568.0 kB) AN11118 [English] | 26 Oct 2011 |
BFU725F/N1 2.4 GHz LNA evaluation board (REV 1.0) PDF (466.0 kB) AN11102 [English] | 02 Aug 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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BFU6xx/BFU7xx Transistor Starter Kit Users Manual (REV 1.0) PDF (56.0 kB) UM10559 [English] | 10 Apr 2012 |
BFU725F/N1 2.4 GHz to 6.0 GHz LNA demonstration board (REV 1.0) PDF (194.0 kB) UM10483 [English] | 16 Sep 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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NXP® BFU6x0F and BFU7x0F: QUBiC4 Si and SiGe:C transistors for any RF function (REV 1.0) PDF (322.0 kB) 75017156 [English] | 30 Nov 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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Plastic surface-mounted flat pack package; 4 leads (REV 1.0) PDF (188.0 kB) SOT343F [English] | 08 Feb 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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DFP4; Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 115 (REV 1.0) PDF (242.0 kB) SOT343F_115 [English] | 16 Nov 2012 |
型号 | 状态 | Package version | Package name | generation | Generation | fT [typ] (GHz) | VCEO [max] (V) | IC [max] (mA) | Ptot [max] (mW) | Polarity | @f (GHz) | NF (dB) | @f (MHz) | @IC (mA) | @VCE (V) | PL(1dB) [typ] (dBm) |
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BFU725F/N1 | Active | |||||||||||||||
BFU725F | No Longer Manufactured | SOT343F | DFP4 | 7th | 55 | 2.8 | 40 | 136 | NPN | 5.8 | 0.7 | 5.8 | 5 | 2 | 80 |
产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | 无铅转换日期 | MSL | MSL LF |
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BFU725F | SOT343F | Reel 7" Q1/T1 | Withdrawn | BFU725F,115 (9340 611 42115) | B6% | Always Pb-free | NA | NA | ||||
BFU725F/N1 | SOT343F | Reel 7" Q1/T1 | Active | BFU725F/N1,115 (9340 635 13115) | B7% | BFU725F/N1 | Always Pb-free | 1 | 1 |