数据手册DataSheet 下载:BLD6G21LS-50 TD-SCDMA 2010 MHz至2025 MHz的全集成式Doherty晶体管.pdf
BLD6G21L-50和BLD6G21LS-50结合全集成式Doherty解决方案,使用恩智浦最先进的GEN6 LDMOS技术。该器件非常适合频率范围为2010 MHz至2025 MHz的TD-SCDMA基站应用。主器件和峰值器件、输入分离器和输出混合器集成在单个封装中。该封装包括一个栅极和漏极引脚以及两个额外引脚,其中一个用于峰值放大器偏置而另一个未连接。对于常规AB类晶体管,其只需正确的输入/输出匹配和偏置设置。
产品特点
- 全面优化的集成式Doherty理念
- 输入端的集成式非对称功率分配器
- 集成式功率合成器
- 低至0 V的峰值偏置
- 低结点温度
- 高效率
- 100 %经过峰值功率测试,保证输出功率能力
- 集成式ESD保护
- 配对良好(主器件和峰值器件在同一芯片上)
- 独立控制主偏置和峰值偏置
- 内部匹配,便于使用
- 极佳的耐用性
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制指令
| 产品应用
- 适合TD-SCDMA多载波应用的高效率RF功率放大器。
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订购型号
订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
BLD6G21LS-50 | CDFM4 (SOT1130B) | sot1130b_po | | Bulk Pack | 激活 | Standard Marking | BLD6G21LS-50,112( 9340 635 09112 ) |
品质、可靠性及RoHS化学成分
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
BLD6G21LS-50 | BLD6G21LS-50,112 | | Always Pb-free | NA | NA | | | |
产品技术资料