数据手册DataSheet 下载:BSP126 N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET.pdf
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用垂直D-MOS技术的塑料封装。该产品仅设计适合用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特点
| 产品应用
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订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
BSP126 | SC-73 (SOT223) | sot223_po | Reflow_Soldering_Profile Wave_Soldering_Profile | Tape reel smd | 激活 | BSP126 | BSP126,135( 9340 005 40135 ) |
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
BSP126 | BSP126,135 | week 35, 2003 | 603.0 | 2.8 | 3.58E8 | 1 | 1 | |
BSP126 | BSP126,115 | week 35, 2003 | 603.0 | 2.8 | 3.58E8 | 1 | 1 |