数据手册DataSheet 下载:BUK9E3R7-60E N沟道TrenchMOS逻辑电平FET.pdf
逻辑电平N沟道MOSFET,采用SOT226封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特点
- 符合AEC Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的栅极逻辑电平驱动,175 °C时VGS(th)额定值大于0.5 V
| 产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起停应用
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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订购型号
订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
BUK9E3R7-60E | I2PAK (SOT226) | sot226_po | | Horizontal, Rail Pack | 激活 | Standard Marking | BUK9E3R7-60E,127( 9340 666 31127 ) |
品质、可靠性及RoHS化学成分
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
BUK9E3R7-60E | BUK9E3R7-60E,127 | | | NA | NA | | | |
产品技术资料