PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD塑料封装。
NPN补充:PBSS8110X。
名称/描述 | Modified Date |
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100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor (REV 2.0) PDF (200.0 kB) PBSS9110X [English] | 14 Dec 2009 |
名称/描述 | Modified Date |
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Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs (REV 1.0) PDF (211.0 kB) AN11076 [English] | 12 Jul 2011 |
Increased circuit efficiency, less required board space and saved money by replacing power transistors with low VCEsat... (REV 1.0) PDF (400.0 kB) AN10405 [English] | 06 Jan 2006 |
名称/描述 | Modified Date |
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plastic surface-mounted package; die pad for good heat transfer; 3 leads (REV 1.0) PDF (193.0 kB) SOT89 [English] | 08 Feb 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 135 (REV 1.0) PDF (178.0 kB) SOT89_135 [English] | 28 Nov 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
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PBSS9110X NXP® Product Reliability (REV 1.1) PDF (82.0 kB) PBSS9110X_1 [English] | 31 Jan 2015 |
PBSS9110X NXP Product Quality (REV 1.2) PDF (74.0 kB) PBSS9110X_NXP_PRODUCT_QUALITY [English] | 31 Jan 2015 |
型号 | 状态 | Package version | Package name | 大小 (mm) | Transistor polarity | transistor polarity | number of transistors | Ptot [max] (mW) | VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | ICM [max] (A) | hFE [min] | hFE [typ] | fT [min] (MHz) | fT [typ] (MHz) | RCEsat [typ] (mΩ) | VCEsat [max] (mV) | RCEsat [max] (mΩ) |
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PBSS9110X | Active | SOT89 | SOT89 | 4.5 x 2.5 x 1.5 | PNP | 1 | 550 | -100 | -1 | -3 | 150 | 100 | 170 | -120 | 320 |
产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | 无铅转换日期 | EFR | IFR(FIT) | MTBF(小时) | MSL | MSL LF |
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PBSS9110X | SOT89 | Reel 11¼" Q1/T1 in LargePack | Active | PBSS9110X,135 (9340 579 76135) | L | PBSS9110X | Always Pb-free | 153.0 | 0.71 | 1.41E9 | 1 | 1 |