数据手册DataSheet 下载:PMGD280UN 双N沟道TrenchMOS超低电平FET.pdf
双超低电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用TrenchMOS技术的塑料封装。该产品仅设计适合用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特点
| 产品应用
|
订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
PMGD280UN | TSSOP6 (SOT363) | sot363_po | Reflow_Soldering_Profile Wave_Soldering_Profile | Tape reel smd | 激活 | D2% | PMGD280UN,115( 9340 577 26115 ) |
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
PMGD280UN | PMGD280UN,115 | week 35, 2003 | 220.0 | 1.02 | 9.79E8 | 1 | 1 |