标准电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56封装,额定工作温度为175 °C。作为恩智浦“NextPower Live”产品组合的一部分,进一步拓展了最新的“热插拔”控制器——耐用程度足以承受开启期间的大量浪涌电流,同时提供低RDS(on)特性,可在持续使用期间保持低温高效。非常适合基于48 V背板/供电轨的通信系统。
名称/描述 | Modified Date |
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N-channel 100 V 13 mΩ standard level MOSFET in LFPAK (REV 1.0) PDF (286.0 kB) PSMN013-100YSE [English] | 18 Dec 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
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Using power MOSFETs in parallel (REV 1.0) PDF (184.0 kB) AN11599 [English] | 13 Jul 2016 |
Power MOSFET single-shot and repetitive avalanche ruggedness rating (REV 3.0) PDF (146.0 kB) AN10273 [English] | 10 Dec 2015 |
LFPAK MOSFET thermal design guide - Part 2 (REV 2.0) PDF (2.6 MB) AN11113_ZH [English] | 22 May 2014 |
Using RC Thermal Models (REV 2.0) PDF (1.0 MB) AN11261 [English] | 19 May 2014 |
Failure signature of Electrical Overstress on Power MOSFETs (REV 1.0) PDF (10.5 MB) AN11243 [English] | 29 Oct 2012 |
LFPAK MOSFET thermal design guide, Chinese version (REV 1.0) PDF (515.0 kB) AN10874_ZH [English] | 14 Sep 2012 |
LFPAK MOSFET thermal design guide - Part 2 (REV 2.0) PDF (2.5 MB) AN11113 [English] | 16 Nov 2011 |
LFPAK MOSFET thermal design guide (REV 2.0) PDF (401.0 kB) AN10874 [English] | 27 Jan 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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Ultra-reliable LFPAK56 and LFPAK33 (REV 1.0) PDF (4.4 MB) 75017659 [English] | 18 May 2015 |
名称/描述 | Modified Date |
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Discretes Semiconductors Selection Guide 2016 (REV 1.0) PDF (47.9 MB) 75017631 [English] | 17 Feb 2016 |
NXP®'s Power MOSFET Selection Guide 2014: Smaller, faster, cooler (REV 1.0) PDF (6.2 MB) 75017590 [English] | 11 Sep 2014 |
名称/描述 | Modified Date |
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Plastic single-ended surface-mounted package (LFPAK56; Power-SO8); 4 leads (REV 1.0) PDF (213.0 kB) SOT669 [English] | 08 Feb 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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LFPAK56; Reel pack; SMD, 7" Q1/T1 standard product orientation Orderable part number ending ,115 or... (REV 3.0) PDF (101.0 kB) SOT669_115 [English] | 09 Sep 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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Power MOSFET frequently asked questions and answers (REV 1.0) PDF (1.1 MB) TN00008 [English] | 07 Aug 2015 |
型号 | 状态 | Package version | Package name | Channel type | Number of transistors | VDS [max] (V) | RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) | RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) | RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ) | RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | Tj [max] (°C) | ID [max] (A) | QGD [typ] (nC) | QG(tot) [typ] (nC) | QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | Ptot [max] (W) | QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC) | Qr [typ] (nC) | VGSth [typ] (V) | Automotive qualified | Ciss [typ] (pF) | Coss [typ] (pF) | 日期 |
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PSMN013-100YSE | Active | SOT669 | LFPAK56; Power-SO8 | N | 1 | 100 | 13 | 175 | 82 | 26 | 75 | 238 | 75 | 146 | 3 | N | 3775 | 265 | 2013-01-07 |
产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | MSL | MSL LF |
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PSMN013-100YSE | SOT669 | Reel 7" Q1/T1 | Active | PSMN013-100YSEX (9340 675 44115) | 13100 | PSMN013-100YSE | 1 | 1 |