FGA15S125P:1250 V、15 A、阳极短路 IGBT
FGA15S125P 飞兆半导体®的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为开关应用提供出色的导通和开关性能。 该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。 该器件为感应加热和微波炉而设计。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGA15S125P | 量产 | $2.1 | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA15S 第三行:125P |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 1.1 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-4155 | 适用于感应加热应用的飞兆半导体第二代、场截止、阳极短路、沟道 IGBT(650 K) 2013年7月10日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 1250 V、15 A、阳极短路 IGBT | FGA15S125P | 1 |
