FGA50S110P:1100 V, 50 A，短路阳极 IGBT
FGA50S110P 通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术，飞兆半导体®新型系列的场截止沟道IGBT可为太阳能变频器、UPS、焊机和PFC等硬开关应用提供最佳性能
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGA50S110P | 量产 | N/A | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA50S 第三行:110P |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.6 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号/大小 | 版本 |
| 1100 V, 50 A，短路阳极 IGBT | FGA50S110P(417.0kB) | 1 |
