FGL35N120FTD:1200V，35A，场截止沟道IGBT
FGL35N120FTD 飞兆半导体®的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS 和焊机等硬开关应用提供最佳性能
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGL35N120FTDTU | 量产 | $5.64 | TO-264 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGL35N120 第三行:FTD |
RTHETA (JA) : 25 °C/W RƟJC : 0.34 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 1200V，35A，场截止沟道IGBT | FGL35N120FTD | 1 |
