FGY75N60SMD:600V,75A,场截止IGBT

FGY75N60SMD 飞兆半导体®的场截止第二代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

技术特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 1.9V @ IC = 75A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关: EOFF =10uJ/A
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 发电和配电
实物参考图

FGY75N60SMD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGY75N60SMD 量产 $6.18 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
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3 (3 位日期代码) 
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第二行:FGY75N60
第三行:SMD
FIT :  1.7  
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.2  °C/W
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概述 文档编号 版本
600V,75A,场截止IGBT FGY75N60SMD 1