3DA1 型晶体管
- 结构名称:NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
- 等级标记:Ⅱ类
- 主要用途: 用于电源部分电流、电压放大和10~20MH下输出1~3W短波及超短波功率放大器及其它电子设备。
- 外形图:F—1C型
3DA1 型晶体管
序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规 范 值 |
3DA1A |
3DA1B |
3DA1C |
1 |
PCM |
W |
Tc≤70℃±5℃ |
7.5 |
2 |
IC |
A |
|
1 |
3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
4 |
ICEO |
mA |
VCE=20V |
≤1 |
≤0.5 |
≤0.2 |
5 |
IEBO |
mA |
VCE=2V |
|
≤0.2 |
≤0.2 |
6 |
BVCBO |
V |
ICB=2mA |
≥40 |
≥50 |
≥70 |
7 |
BVCEO |
V |
ICE=2mA |
≥30 |
≥45 |
≥60 |
8 |
BVEBO |
V |
IEB=2mA |
≥2 |
≥4 |
≥4 |
9 |
VSB |
V |
ICE=0.25A |
|
≥30 |
≥30 |
10 |
VCE(sat) |
V |
IC=0.5A,IB=0.1A |
≤1 |
≤1 |
≤1 |
11 |
hFE |
|
VCE=5V,IC=0.3A |
≥10 |
≥15 |
≥15 |
12 |
PO |
W |
VCE=24V,Pi=0.1W,f=10MHz |
≥2 |
≥3 |
≥5.5 |
13 |
Gp |
dB |
≥13 |
≥15 |
≥17 |
14 |
η |
% |
≥55 |
≥55 |
≥55 |
3DA1 型晶体管B-2 型封状尺寸图